三星电子计划在本月第三周开始向英伟达发货全球首款量产HBM4芯片。交付将在农历新年假期后进行，支持英伟达的Vera Rubin AI加速器平台。
三星电子计划于2026年2月第三周在2月17日农历新年假期后开始向英伟达发货高带宽内存4（HBM4）芯片。这是全球首款量产版本的客户交付，专供英伟达下一代Vera Rubin AI加速器平台使用。行业消息人士表示，三星已完成英伟达的HBM4认证流程，并将交付时间表与英伟达的Vera Rubin发布计划相匹配。英伟达预计将在2026年3月16日至19日的GTC大会上展示该平台。首席执行官黄仁勋在上个月的CES 2026上表示，Vera Rubin芯片已进入全面生产，预计2026年下半年上市。三星使用1c工艺——其第六代10纳米级DRAM技术——生产HBM4芯片的DRAM单元芯片，并采用4纳米代工厂工艺生产基底芯片。这实现了高达11.7吉比特每秒（Gbps）的数据处理速度，超过了联合电子器件工程委员会（JEDEC）的8 Gbps标准。三星拒绝评论客户事务，但表示其HBM4因超越JEDEC性能标准而被选用于英伟达平台。与竞争对手SK海力士的竞争将加剧。SK海力士采用台积电的12纳米代工厂工艺生产基底芯片，并使用自家第五代1b DRAM工艺，可能因产量更稳定而供应更大体积。三星旨在通过性能优势抢占早期市场份额，但实现先进工艺的稳定产量至关重要。一位行业人士称赞三星，该公司拥有全球最大生产能力和最广泛的产品线，通过率先量产高性能HBM4重新获得技术领先优势。
