光电
中国科学家正研发先进2D半导体材料，生长速度提升1000倍，有望用于LED、光电探测器和激光器等光电子领域，突破摩尔定律限制。
由 AI 报道
国际研究团队开发了一种“自刻蚀”技术，用于加工柔软且不稳定的离子晶格半导体，特别是二维钙钛矿薄层单晶，而不会损坏其结构，从而克服了光电材料领域的一个关键挑战。该研究由中国科学技术大学、普渡大学和上海科技大学的研究人员领导，于周四发表在《自然》杂志上。
中国科学家正研发先进2D半导体材料，生长速度提升1000倍，有望用于LED、光电探测器和激光器等光电子领域，突破摩尔定律限制。
由 AI 报道
国际研究团队开发了一种“自刻蚀”技术，用于加工柔软且不稳定的离子晶格半导体，特别是二维钙钛矿薄层单晶，而不会损坏其结构，从而克服了光电材料领域的一个关键挑战。该研究由中国科学技术大学、普渡大学和上海科技大学的研究人员领导，于周四发表在《自然》杂志上。