中国の科学者チームは、成長速度を1000倍に高めた先進的な2D半導体材料の開発を進めている。この技術は、ムーアの法則の限界を克服するものとして、LEDや光検出器、レーザーといった光電子工学分野での応用が期待されている。
ムーアの法則は、半導体の性能が2年ごとに倍増すると予測してきたが、チップの微細化が進むにつれ、物理的制約により性能のさらなる向上はますます困難になっている。
2D半導体では、微量の元素を加える「ドーピング」というプロセスを通じて電気伝導性を変化させることが可能で、これによりn型（負）およびp型（正）の材料を作り出すことができる。二硫化モリブデンや二セレン化モリブデンといったn型2D半導体は数多く存在する一方で、高性能で安定したp型材料は希少である。
国防科技大学の朱孟健氏は木曜の科技日報の報道に対し、「チップ内のトランジスタは、n型とp型の両材料をペアにして機能させる必要がある。高性能なp型材料の不足は、5ナノメートル未満のノードにおける2D半導体開発の重大なボトルネックとなっており、科学技術分野における激しい競争領域でもある」と語った。
この先進的な材料は光電子工学分野での応用が期待されており、LEDや光検出器、レーザーに使用することで、中国が推進する成長速度1000倍の次世代「2Dチップ」開発を後押しすることになる。