中国が成長速度1000倍の次世代2D半導体を開発

2026年04月12日(日)

AIによるレポート

中国の科学者チームは、成長速度を1000倍に高めた先進的な2D半導体材料の開発を進めている。この技術は、ムーアの法則の限界を克服するものとして、LEDや光検出器、レーザーといった光電子工学分野での応用が期待されている。

ムーアの法則は、半導体の性能が2年ごとに倍増すると予測してきたが、チップの微細化が進むにつれ、物理的制約により性能のさらなる向上はますます困難になっている。

2D半導体では、微量の元素を加える「ドーピング」というプロセスを通じて電気伝導性を変化させることが可能で、これによりn型（負）およびp型（正）の材料を作り出すことができる。二硫化モリブデンや二セレン化モリブデンといったn型2D半導体は数多く存在する一方で、高性能で安定したp型材料は希少である。

国防科技大学の朱孟健氏は木曜の科技日報の報道に対し、「チップ内のトランジスタは、n型とp型の両材料をペアにして機能させる必要がある。高性能なp型材料の不足は、5ナノメートル未満のノードにおける2D半導体開発の重大なボトルネックとなっており、科学技術分野における激しい競争領域でもある」と語った。

この先進的な材料は光電子工学分野での応用が期待されており、LEDや光検出器、レーザーに使用することで、中国が推進する成長速度1000倍の次世代「2Dチップ」開発を後押しすることになる。

Chinese scientists achieve breakthrough in 2D semiconductor wafers

Chinese researchers have announced a new technique to mass-produce 2D material wafers, paving the way for high-performance electronics using a successor to silicon. Two-dimensional materials such as molybdenum disulfide, with their atomically thin structure, are regarded as promising successors for the post-Moore’s Law era due to their high carrier mobility and low power consumption. However, a core obstacle to commercialisation has been the difficulty of producing them uniformly over large areas and at a high quality.

Chinese transistor breakthrough paves way for future AI chips

2026年02月25日(水) AIによるレポート

Chinese researchers have achieved a breakthrough in ferroelectric transistors (FeFETs), overcoming long-standing limitations of traditional versions and paving the way for large-scale applications. These transistors function similarly to neurons in the human brain, integrating memory and processing in a single unit to reduce data transfer time.

科学

Hidden magnetic order discovered in superconductivity pseudogap

技術

Scientists observe quantum geometry bending electrons like gravity

科学

Researchers unlock efficient shortcut to quantum materials

Physicists observe superfluid freezing into supersolid state

Researchers have witnessed a superfluid in graphene halt its motion, transitioning into a supersolid—a quantum phase blending solid-like order with frictionless flow. This breakthrough, achieved in bilayer graphene under specific conditions, challenges long-held assumptions about quantum matter. The findings, published in Nature, mark the first natural observation of such a phase without artificial constraints.

Physicists develop control over electronic friction in devices

2026年02月09日(月) AIによるレポート

Researchers have created a method to manage electronic friction in devices, potentially leading to more efficient technology. By using specific materials and applying pressure or voltage, they can reduce or eliminate this hidden energy loss. The breakthrough focuses on electron interactions in smooth surfaces.

科学