Científicos chinos están desarrollando materiales semiconductores 2D avanzados con una velocidad de crecimiento mil veces superior, lo que promete aplicaciones en optoelectrónica como LED, fotodetectores y láseres, con el fin de superar las limitaciones de la ley de Moore.
La ley de Moore predecía que la capacidad de los semiconductores se duplicaría cada dos años, pero a medida que las dimensiones de los chips continúan reduciéndose, las limitaciones físicas hacen que seguir escalando el rendimiento sea cada vez más difícil. En un semiconductor 2D, su capacidad para conducir electricidad puede alterarse añadiendo pequeñas cantidades de otros elementos, un proceso llamado dopaje, que puede dar lugar a materiales de tipo n (negativo) y de tipo p (positivo). Si bien existen muchos semiconductores 2D de tipo n, como el disulfuro de molibdeno y el diseleniuro de molibdeno, los de tipo p, estables y de alto rendimiento, son poco comunes. "Los transistores de un chip requieren materiales de tipo n y tipo p para trabajar en pares. La falta de materiales de tipo p de alto rendimiento se ha convertido en un cuello de botella crítico para el desarrollo de semiconductores 2D de nodos inferiores a 5 nm, y es también una frontera científica y tecnológica ferozmente disputada", afirmó Zhu Mengjian, de la Universidad Nacional de Tecnología de Defensa, en un informe publicado el jueves por el Science and Technology Daily. El material avanzado ofrece resultados prometedores en el campo de la optoelectrónica, donde puede utilizarse en LED, fotodetectores y láseres, apoyando el impulso de China por los "chips 2D" de nueva generación con una velocidad de crecimiento mil veces superior.