Un equipo dirigido por Wu Zhenping en la Universidad de Correos y Telecomunicaciones de Pekín ha confirmado en Science Advances que el óxido de galio kappa exhibe ferroelectricidad estable a temperatura ambiente, lo que le permite almacenar datos como un dispositivo de memoria mientras funciona como un transmisor de alta potencia. Este avance podría permitir electrónica militar más pequeña y potente en cazas chinos, dejando potencialmente los radares de los F-22 estadounidenses dos generaciones atrás.
Cazas chinos, desde el antiguo J-10 hasta los avanzados J-20 y J-35, utilizan actualmente tecnología de nitruro de galio de tercera generación para radares, ofreciendo un rango, eficiencia y fiabilidad superiores en comparación con los sistemas envejecidos de arseniuro de galio en los jets F-22 estadounidenses de EE.UU. Un descubrimiento de Wu Zhenping y su equipo en la Universidad de Correos y Telecomunicaciones de Pekín, publicado en la revista Science Advances el 11 de febrero, ha abierto un nuevo frente en la carrera armamentística de semiconductores. Por primera vez, confirmaron mediante experimentos que una fase cristalina específica del óxido de galio, conocida como óxido de galio kappa, exhibe ferroelectricidad estable a temperatura ambiente. Esto le permite almacenar datos de forma intrínseca como un dispositivo de memoria mientras funciona como un componente transmisor de alta potencia. La integración de potencia y memoria podría permitir electrónica militar más pequeña y potente. La investigación sugiere que este salto en la tecnología de semiconductores de China podría dejar los radares F-22 de EE.UU. dos generaciones atrás. Palabras clave incluyen semiconductor, radar, military electronics, J-35, Wu Zhenping, F-35, United States, Beijing University of Posts and Telecommunications, kappa-gallium oxide, China, F-22, J-20, gallium oxide, Hangzhou Garen Semiconductor, Science Advances, gallium nitride, y Chinese Academy of Sciences.
