中国研究人员在氧化镓技术上取得进展,可能提升军用电子设备

北京邮电大学吴振平团队在《科学进展》杂志上发表的研究证实,kappa-氧化镓在室温下表现出稳定的铁电性,可同时作为存储设备和高功率传输组件。该发现可能使中国军用雷达缩小并增强功率,领先于美国F-22的旧技术。

中国战斗机,如老款J-10到最先进的J-20和J-35,目前使用第三代氮化镓技术建造雷达,这种技术在射程、效率和可靠性上优于美国F-22使用的老化砷化镓系统。

吴振平及其北京邮电大学团队于2月11日在《科学进展》杂志上发表的研究,开辟了半导体军备竞赛的新领域。他们首次通过实验证实,氧化镓的特定晶相——kappa-氧化镓——在室温下表现出稳定的铁电性。这使得该材料能够像存储设备一样内在存储数据,同时作为高功率传输组件工作。

这一结合功率和存储的功能,可能实现更小、更强大的军用电子设备。来源指出,中国在半导体领域的这一跃进,可能使美国F-22雷达落后两代。

关键词包括半导体、雷达、军用电子、J-35、吴振平、F-35、美国、北京邮电大学、kappa-氧化镓、中国、F-22、J-20、氧化镓、杭州加仑半导体、《科学进展》、氮化镓和中国科学院。

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