중국, 성장 속도 1,000배 빠른 차세대 2D 반도체 개발

중국 과학자들이 기존 대비 1,000배 빠른 성장 속도를 가진 차세대 2D 반도체 소재를 개발하고 있다. 이는 무어의 법칙의 한계를 극복하고 LED, 광검출기, 레이저와 같은 광전자공학 분야에 응용될 것으로 기대된다.

무어의 법칙은 반도체 용량이 2년마다 2배씩 증가할 것이라고 예측했으나, 칩의 크기가 계속 줄어들면서 물리적 한계로 인해 성능 향상을 지속하기가 점점 어려워지고 있다. 2D 반도체는 미량의 다른 원소를 첨가하는 도핑 공정을 통해 전기 전도성을 변화시킬 수 있으며, 이를 통해 n형(음성) 및 p형(양성) 소재를 만들 수 있다. 이황화몰리브덴이나 이셀레늄화몰리브덴과 같은 n형 2D 반도체는 다수 존재하지만, 고성능의 안정적인 p형 소재는 드문 실정이다. 국방과학기술대학의 주멍젠 연구원은 목요일 과학기술일보와의 인터뷰에서 '칩 내의 트랜지스터가 작동하려면 n형과 p형 소재가 쌍을 이뤄야 한다. 고성능 p형 소재의 부재는 5nm 이하 공정의 2D 반도체 개발에 있어 중요한 병목 현상이 되었으며, 이는 과학 기술 분야에서 치열하게 경쟁하는 최전선이기도 하다'고 밝혔다. 이 첨단 소재는 LED, 광검출기, 레이저 등 광전자공학 분야에서의 활용 가능성이 높으며, 성장 속도가 1,000배 빠른 차세대 '2D 칩'을 확보하려는 중국의 행보를 뒷받침하고 있다.

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